權(quán)利要求 1.納米陶瓷增強(qiáng)高溫合金球形微粉的制備方法，其特征在于該方法按以下步驟進(jìn)行： 一、按質(zhì)量百分比稱取0.5％～5％的納米陶瓷顆粒與95％～99.5％的高溫合金粉末，通過高能球磨，得到初混粉末；其中所述的納米陶瓷顆粒的粒度為1～150nm； 二、將初混粉末放入送粉器后，以0.5～2.5kg/h的送粉速率輸送到等離子體球化處理設(shè)備內(nèi)，在功率為15～50kW的等離子體束中進(jìn)行燒結(jié)球化處理，形成球形微粉； 三、將球形微粉收集、篩分，得到納米陶瓷增強(qiáng)高溫合金球形微粉。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米陶瓷增強(qiáng)高溫合金球形微粉的制備方法，其特征在于步驟一所述的納米陶瓷顆粒為TiC、WC、SiC、Al 2O 3和Y 2O 3中的一種或幾種的組合納米陶瓷顆粒。  3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米陶瓷增強(qiáng)高溫合金球形微粉的制備方法，其特征在于步驟一所述的納米陶瓷顆粒的粒度為15～50nm。  4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米陶瓷增強(qiáng)高溫合金球形微粉的制備方法，其特征在于步驟一所述的高溫合金粉末為鎳基高溫合金粉末。  5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種納米陶瓷增強(qiáng)高溫合金球形微粉的制備方法，其特征在于步驟一所述的鎳基高溫合金為GH1015、GH1035、GH1040、GH1131、GH1140、GH2018、GH2036、GH2038、GH2130、GH2132、GH2135、GH2136、GH2302、GH2696、GH3030、GH3039、GH3044、GH3028、GH3128、GH3536、GH605,GH600、GH4033、GH4037、GH4043、GH4049、GH4133、GH4133B、GH4169、GH4145或GH4090。  6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米陶瓷增強(qiáng)高溫合金球形微粉的制備方法，其特征在于步驟一所述的高溫合金粉末的粒度為10～120μm。  7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米陶瓷增強(qiáng)高溫合金球形微粉的制備方法，其特征在于步驟一所述的高溫合金粉末的粒度為20～60μm。  8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米陶瓷增強(qiáng)高溫合金球形微粉的制備方法，其特征在于步驟一所述的高能球磨為干法