權(quán)利要求 1.燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟： S1：磁體預(yù)處理：采用激光清洗方法對燒結(jié)釹鐵硼磁體進(jìn)行表面預(yù)處理，并用惰性氣體及時(shí)將污物吹離磁體表面； S2：真空蒸鍍Al薄膜的制備：在真空蒸鍍裝置中，通過采用真空蒸鍍工藝在預(yù)處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜； S3：激光重熔處理：采用激光重熔技術(shù)對磁體表面沉積的Al薄膜進(jìn)行改性處理，提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結(jié)合力。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述S1中磁體預(yù)處理，采用激光清洗方法對燒結(jié)釹鐵硼磁體表面進(jìn)行預(yù)處理，以去除磁體表面的油污及氧化皮，所述激光清洗的工藝參數(shù)包括：激光功率為100～2500W，激光束波長為1064nm，脈沖寬度為50～300ns，激光掃描速度為5～150mm/s，激光入射角為20～90°；所述S1中磁體預(yù)處理，使用惰性氣體及時(shí)將激光清洗后的污物吹離磁體表面，避免清潔表面再次污染和氧化，所述惰性氣體為氬氣、氦氣中的一種。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述S2真空蒸鍍Al薄膜的制備，采用真空蒸鍍工藝在預(yù)處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜，所述真空蒸鍍的工藝參數(shù)包括真空度為1×10-3～5×10-3Pa，蒸發(fā)電流為2000～2900A，真空蒸鍍時(shí)間為50～80min。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述S3激光重熔處理，采用激光重熔技術(shù)對磁體表面沉積的Al薄膜進(jìn)行改性處理，提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結(jié)合力；所述激光重熔的工藝參數(shù)包括：激光功率為1000～3000W，掃描速度為5～15mm/s，光斑尺寸為2～5mm，搭接系數(shù)為5％～20％，并充入惰性氣體作為保護(hù)氣，所述惰性氣體為氬氣或氦氣中的一種。 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法，其特征在于：所述真空蒸鍍裝置包括有外殼(1)、坩堝(2)和調(diào)節(jié)夾具(3)；所述外殼(1)的內(nèi)部靠近外殼(1)的底面位置固連有坩堝(2)，且坩堝(2)的內(nèi)部用于放置蒸發(fā)材料；所述外殼(1)的內(nèi)部于坩堝(2)的頂部位置設(shè)有調(diào)節(jié)夾具(3)；所述調(diào)節(jié)夾具(3)包括有推桿(4)、電機(jī)(5)和轉(zhuǎn)