一種基于二維功能材料制備柔性光探測(cè)器的方法，本發(fā)明涉及光探測(cè)器的制備方法。本發(fā)明是要解決現(xiàn)有的現(xiàn)有的柔性光探測(cè)器的光刻工藝技術(shù)成本高且難以實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)的技術(shù)問(wèn)題。方法：一、制備半導(dǎo)體材料單晶硒化鎵或單晶硫化鎵；二、用思高膠帶在半導(dǎo)體材料表面粘貼-剝離；三、將二維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)移至基底上；四、將銅制掩膜覆到經(jīng)步驟三處理的基底上，沉積金層和鉻層；再去掉掩膜退火處理；五、利用半導(dǎo)體測(cè)試儀，篩選出步驟四得到的光探測(cè)器半成品中對(duì)紫外光有光電響應(yīng)的電極對(duì)，即得到基于二維功能材料制備柔性光探測(cè)器。該光探測(cè)器紫外光響應(yīng)度高達(dá)100AW-1以上?？勺鳛槲㈦娮悠骷⒐饷羝骷糜谛畔鬏敽蛢?chǔ)存領(lǐng)域。