本發(fā)明公開了一種憶阻器及其制備方法，所述憶阻器包括自下而上依次設(shè)置的基底、底電極層、功能材料層、頂電極層以及頂電極保護(hù)層，其特征在于，所述功能材料層和頂電極層之間設(shè)置有阻擋層，所述阻擋層由Nb2C覆蓋在MAPbI3層上表面制備而成。本發(fā)明引入阻擋層制備形成的憶阻器，且配置有頂電極保護(hù)層，具有穩(wěn)定性好、導(dǎo)電性佳的特點(diǎn)，具有廣闊的應(yīng)用前景，同時(shí)本發(fā)明的制備方法簡便高效，成本較低，適合在產(chǎn)業(yè)上廣泛應(yīng)用。