一種基于氮化鎂薄膜的光電探測器件及其制備方法，屬于半導(dǎo)體光電探測器領(lǐng)域。首先采用磁控濺射或蒸鍍技術(shù)在襯底上生長一層過渡金屬電極，并利用濕法或干法刻蝕技術(shù)制備出叉指電極結(jié)構(gòu)，然后采用反應(yīng)射頻磁控濺射方法在制備好叉指電極結(jié)構(gòu)的襯底上生長Mg3N2薄膜，最后在Mg3N2薄膜上原位濺射生長一層BN或AlN薄膜作為Mg3N2保護(hù)層，從而得到基于Mg3N2薄膜的光電探測器件。本發(fā)明拓展了Mg3N2在光電功能材料與器件領(lǐng)域中的應(yīng)用。BN或AlN薄膜不僅有效抑制了Mg3N2薄膜的水解，提高了Mg3N2薄膜的穩(wěn)定性，而且在紅外、可見光和大部分紫外波段都是透明的，是Mg3N2光電器件理想的光學(xué)窗口。