本發(fā)明提供了一種反型QLED器件的制備方法，包括以下步驟：提供陰極和置換配體溶液；在所述陰極上沉積量子點預(yù)制薄膜，所述量子點預(yù)制薄膜由表面含有初始配體的量子點組成，將所述量子點預(yù)制薄膜與所述置換配體溶液中的置換配體進行原位配體交換，將所述初始配體置換為置換配體，得到量子點發(fā)光層，其中，所述置換配體至少含有兩個活性官能團；在所述量子點發(fā)光層表面制備空穴功能層；在所述空穴功能層上制備陽極。