本發(fā)明提供了一種制備三維懸空環(huán)柵結構半導體場效應晶體管(MOSFET)器件的方法及其產(chǎn)品，其包括步驟：利用微納加工技術對半導體材料進行表面處理和制備模型結構；對制備好的三維結構利用微納加工技術進行柵介質(zhì)層沉積；懸空環(huán)柵電極和懸空漏電極加工；利用聚焦離子束實現(xiàn)三維空間的電極互聯(lián)。本發(fā)明是一種以三維結構為載體，利用各種微納加工技術制備三維懸空環(huán)柵MOSFET的新方法。該方法具有工藝靈活、可控性好、方法新穎等特點，所制備的器件具有各向同性調(diào)控源漏之間的場效應，優(yōu)秀的柵極控制，具有更小的漏端寄生電容，減少漏端電場擴散，提高器件集成密度等特點。