權(quán)利要求 1.低膨脹硅基復(fù)合材料，其特征在于，所述低膨脹硅基復(fù)合材料包括：多孔陶瓷和氧化亞硅; 其中, 氧化亞硅的化學(xué)式為SiO x，0＜x＜1.6； 所述低膨脹硅基復(fù)合材料以所述多孔陶瓷作為骨架，所述氧化亞硅分布在所述多孔陶瓷的孔隙內(nèi)； 所述低膨脹硅基復(fù)合材料的振實(shí)密度在0.8g/cm 3-1.3g/cm 3之間； 所述多孔陶瓷包括：多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種； 所述多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間； 所述多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm-20μm之間； 所述多孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低膨脹硅基復(fù)合材料，其特征在于，所述氧化亞硅占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為50%-90%； 所述多孔陶瓷占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為10%-50%。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低膨脹硅基復(fù)合材料，其特征在于，所述低膨脹硅基復(fù)合材料還包括碳包覆層；所述碳包覆層的質(zhì)量占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為0-20%。 4.上述權(quán)利要求1-3任一所述的低膨脹硅基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 將多孔陶瓷和氧化亞硅進(jìn)行復(fù)合，得到低膨脹硅基復(fù)合材料； 其中，所述復(fù)合的方法包括：液相法或固相法； 所述多孔陶瓷包括：多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種；所述多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間；所述多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm- 20μm之間；所述多孔陶瓷的孔隙率在50%-90%之間； 所述氧化亞硅占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為50%-90%； 所述多孔陶瓷占所述低膨脹硅基復(fù)合材料總質(zhì)量的百分比為10%-50%。 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述液相法包括：將所述氧化亞硅均勻分散于有機(jī)溶劑中，得到預(yù)混溶液； 將所述多孔陶瓷加入到所述預(yù)混溶液中，繼續(xù)均勻分散，得到混合溶液； 將所述混合溶液置于高溫爐內(nèi)，升溫至700℃-1000℃，保溫2小時(shí)-5小時(shí)，出料后進(jìn)行粉碎和篩分，得到所述