本發(fā)明TiNiCu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的制備方法，涉及阻尼材料的制造，通過制備多孔TiNiCu形狀記憶合金并在其孔洞中填充金屬Mg制得TiNiCu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即Mg/TiNiCu，克服了現(xiàn)有的多孔TiNiCu形狀記憶合金制備方法中孔隙率和孔徑及孔型均難以控制、現(xiàn)有的將Mg引入多孔合金中的技術(shù)不可用于Mg對多孔TiNiCu合金的填充、以及合金產(chǎn)品的阻尼性能及其他力學(xué)性能尚需提高的缺陷。