一種三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法。傳統(tǒng)聚偏氟乙烯是一種熱塑性聚合物,有限的介電常數(shù)滿足不了現(xiàn)代嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲器件對材料高介電性能的要求,鈦酸鋇作為高介電常數(shù)的鐵電陶瓷廣泛應(yīng)用于聚合物中改善聚合物的介電性能;但是摻雜量較高時(shí),隨著復(fù)合材料的介電性能的提高時(shí)其力學(xué)性能也急劇下降,達(dá)不到高容量電器元件對聚合物介電性能和力學(xué)性能的要求。一種三層介電聚偏氟乙烯薄膜,其組成是:純聚偏氟乙烯層,所述的純聚偏氟乙烯層(2)的上面具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層(3),所述的純聚偏氟乙烯層的下面也具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層(1)。本發(fā)明應(yīng)用于三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法。
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