本發(fā)明公開了一種介孔二氧化硅包覆單壁碳納米管的制備方法。所述方法通過一步法將表面活性劑分子固定在單壁碳納米管表面,以非共價鍵的方式誘導(dǎo)介孔二氧化硅殼層的包覆生長,不僅實現(xiàn)了對介孔二氧化硅殼層厚度的調(diào)控,并且可以消除氧化硅自成核現(xiàn)象的發(fā)生;此方法還可以在介孔孔壁和殼層外表面修飾不同的功能基團(tuán),使復(fù)合材料易于分散于各類溶劑中,提高了單壁碳納米管的分散穩(wěn)定性,同時介孔孔道可用來裝載和傳輸不同的客體分子,具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“介孔二氧化硅包覆單壁碳納米管的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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