本發(fā)明公開了一種CsPW11Fe/Si異質(zhì)結(jié)復(fù)合光電材料及其制備方法，CsPW11Fe納米粒子有序生長(zhǎng)于Si基底表面刻蝕出的孔洞中，呈現(xiàn)出“乳突”狀排列；CsPW11Fe納米顆粒尺寸為95～105nm，Si基底表面刻蝕出的孔洞尺寸為1～3μm。通過CsPW11Fe與Si之間的電子轉(zhuǎn)移增強(qiáng)光生載流子的分離效率，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明能高效利用太陽光能實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換，與其它方法相比，技術(shù)先進(jìn)，節(jié)能低耗，且性質(zhì)穩(wěn)定。在可見光照射下CsPW11Fe/Si復(fù)合材料的入射單色光子?電子轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了54.1％，明顯高于純硅(～10％)。