本發(fā)明涉及一種I2-II-IV-VI4基薄膜太陽電池。屬于太陽電池新能源領(lǐng)域。本發(fā)明以p型I2-II-IV-VI4基半導(dǎo)體薄膜作為吸光層,以與吸光層同質(zhì)的薄膜作為緩沖層,優(yōu)化電池p-n結(jié)能帶帶階;以高功函數(shù)的雙層復(fù)合薄膜作為電池的底電極,消除光吸收層與底電極的接觸勢壘;以寬帶隙的ZnS半導(dǎo)體薄膜作為窗口層,提高電池的光利用效率。本發(fā)明所提供的I2-II-IV-VI4基薄膜太陽電池,原料豐富、廉價,具有優(yōu)良的器件結(jié)構(gòu)。
聲明:
“Ⅰ2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ4基薄膜太陽電池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)