本發(fā)明屬于新能源新材料領(lǐng)域，尤其涉及一種ITO薄膜，具體為一種高透高遷移率ITO薄膜的制備方法。該方法包括以下步驟：S1、在襯底上生長(zhǎng)In2O3籽晶層；S2、在S1生長(zhǎng)的In2O3籽晶層上生長(zhǎng)ITO薄膜；S3、將S2中的復(fù)合薄膜進(jìn)行退火處理。本發(fā)明提供的ITO薄膜的制備方法，通過(guò)在兩步法制備ITO薄膜引入In2O3籽晶層，提高了與P型半導(dǎo)體材料的接觸特性，同時(shí)在制備過(guò)程中引入氫氣，提高了ITO薄膜透過(guò)率、與載流子遷移率，薄膜材料的性能顯著得到提高。