本發(fā)明涉及新能源中薄膜太陽電池的技術領域，尤其涉及一種在不銹鋼柔性襯底上制備硅納米線陣列的方法。1)在不銹鋼柔性襯底上采用磁控濺射方法沉積一層摻錫氧化銦(ITO)薄膜；2)將步驟1)得到的不銹鋼柔性襯底轉移至反應腔室，利用氫氣等離子體刻蝕方法對ITO薄膜進行刻蝕處理而得到銦金屬的納米顆粒；3)在步驟2)得到的不銹鋼柔性襯底上采用等離子體輔助化學氣相沉積(PECVD)技術生長硅納米線(包括i型、p型和n型硅納米線)。本發(fā)明提出的這種在柔性襯底上制備硅納米線陣列的方法，采用等離子體輔助化學氣相沉積系統(tǒng)，處理過程簡便易行，低溫低能耗，并且硅納米線的生長和硅薄膜的沉積互相兼容，非常方便進一步制作硅薄膜器件。