本發(fā)明公開一種以微硅粉為Si源制備石墨基Si@C負極材料的方法，所述方法為：將微硅粉進行預處理，然后與鎂粉進行球磨混合、還原反應(yīng)，再經(jīng)酸洗、離心干燥，即得多孔晶體Si顆粒；將所制備的多孔晶體Si在配置好的PH為8.5的Tris緩沖溶液中與多巴胺均勻混合，使聚多巴胺沉積在Si顆粒的表面，對Si進行包覆，制備出Si@C核殼結(jié)構(gòu)的復合體材料。該復合體材料擁有優(yōu)異的電化學性能，具有較高的比容量、長循環(huán)壽命及高的容量保持率，穩(wěn)定的循環(huán)壽命；碳層與其包裹的Si粒子的孔道結(jié)構(gòu)，也為鋰離子的脫、嵌縮短了擴散距離與時間；包覆的碳層增強了Si的導電性；Si@C核殼結(jié)構(gòu)也避免了電解液與Si直接接觸，形成不穩(wěn)定的SEI膜。