本發(fā)明涉及SnO2@PPy納米薄膜結(jié)構(gòu)材料及其制備方法，其為生長在泡沫鎳上的SnO2納米棒表面被聚合物吡咯(PPy)包覆，所述的聚合物吡咯形成薄膜的厚度為0.8～1.5μm，其采用下述方法制得，包括有以下步驟：1)將吡咯單體分散在高氯酸鋰乙腈溶液中，混合攪拌30min；2)以已經(jīng)生長SnO2納米棒陣列的泡沫鎳為工作電極，以Ag/AgCl為參比電極，以鉑電極為對(duì)電極進(jìn)行電沉積2000s，電流密度1.6mA/cm2，洗滌即得。本發(fā)明的有益效果是：采用電化學(xué)沉積的方法將PPy生長在SnO2納米棒的表面，這樣可以起到緩沖層的作用，不僅提高了材料電導(dǎo)率，改善了電極材料的循環(huán)穩(wěn)定性。