本發(fā)明公開了一種晶界缺陷最小化的具有連續(xù)的結(jié)晶成長結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)制備方法以及由此制備的量子點(diǎn)。目前的一種量子點(diǎn)仍舊會導(dǎo)致核與殼之間的晶格常數(shù)不一致，因為包含了多個配位的有機(jī)配體，其缺點(diǎn)是依據(jù)激發(fā)光的長期穩(wěn)定度特性低。本發(fā)明提供的制備方法包含合成量子點(diǎn)，以及在鎂、鋰、硅、鈦、鋁之中至少選擇1個作為金屬材料的摻雜物質(zhì)添加到有機(jī)溶劑中。本發(fā)明制備的量子點(diǎn)具有不區(qū)分核與殼之間的晶界的由鎘、鋅、硒、硫之中的任何一個構(gòu)成的4成分系第1層結(jié)晶結(jié)構(gòu)，硫化鎘、硒化鋅、硫化鋅之中的任何一個構(gòu)成的4成分系第2層結(jié)晶結(jié)構(gòu)，以及CdZnSeS的4成分系第3層結(jié)晶結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的量子點(diǎn)具有提高轉(zhuǎn)換率、輝度及耐熱度的優(yōu)點(diǎn)。