本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化亞硅/金屬?gòu)?fù)合薄膜負(fù)極的制備方法，(1)將歧化后的氧化亞硅粉體壓制成靶材；(2)采用磁控濺射法在銅箔表面制備一層氧化亞硅薄膜；(3)采用磁控濺射法在氧化亞硅薄膜表面制備一層金屬顆粒；(4)依次重復(fù)步驟(2)和步驟(3)n次。本發(fā)明還公開(kāi)了一種采用上述方法制備得到的氧化亞硅/金屬?gòu)?fù)合薄膜負(fù)極。本發(fā)明首次提出采用歧化后的氧化亞硅粉體制成靶材并利用磁控濺射法制備歧化后的氧化亞硅薄膜負(fù)極，該方法的氧化亞硅薄膜負(fù)極結(jié)構(gòu)可通過(guò)薄膜結(jié)構(gòu)緩解其儲(chǔ)鋰體積膨脹效應(yīng)，并利用金屬顆粒提升氧化亞硅薄膜負(fù)極的導(dǎo)電性，從而提升其倍率性能。本發(fā)明中的負(fù)極結(jié)構(gòu)具備優(yōu)異的倍率特性、循環(huán)穩(wěn)定性以及高的比容量。