1.本發(fā)明涉及金屬基復合材料技術領域，尤其是涉及一種高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板制備方法。 背景技術： 2.隨著功能強大、小巧便攜移動電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展，電子元器件的尺寸越來越小，電路集成度也越來越高、使用頻率越來越高，相應地對電子封裝材料的穩(wěn)定性和可靠性及散熱性能等提出了更高的要求，因此，電子封裝材料要適應半導體技術的發(fā)展需求，則必須充分兼顧多項參數(shù)如熱導率(tc)、熱膨脹系數(shù)(cte)、密度、強度及合理的封裝工藝等。 3.傳統(tǒng)的電子封裝材料多釆用易于加工的合金材料，然而多數(shù)情況下合金難以兼具綜合性能需求。例如，invar合金和kovar合金熱膨脹系數(shù)低，但導熱性能較差；而銅和鋁等金屬材料導熱性能良好，但熱膨脹系數(shù)高，溫度變化引起的熱應力會誘發(fā)電子元器件產(chǎn)生脆性裂紋，降低元器件整體的可靠性。合金化可以有效降低金屬材料的熱膨脹系數(shù)，且可兼具高熱導率、良好高溫性能等優(yōu)點，但是，該類材料制備成本高且密度大，加工和焊接性能較差，限制了其在航空電子設備中的進一步應用。 4.金剛石綜合熱物理性能優(yōu)異，其室溫下的導熱系數(shù)為700～2200w/(mk)，熱膨脹系數(shù)為0.8 × 10-6 k-1 。根據(jù)混合法則，將金剛石顆粒添加至由高導熱率金屬基體(如ag、cu或al)所制備的金剛石/金屬基復合物中，將成為一種同時具有低熱膨脹系數(shù)和高熱導率的新型電子封裝材料。 5.目前制備金剛石/銅復合材料的方法主要有壓力輔助熔滲技術、放電等離子燒結技術、高溫高壓燒結技術、復合電沉積技術等，但是怎樣簡單有效的制備性能優(yōu)良的金剛石/銅復合材料依然是目前行業(yè)工作者追求的目標。其中，放電等離子體燒結法是目前比較普遍使用的制備方法，但是復合材料的燒結性只能用于金剛石顆粒體積分數(shù)相對較低的情況下，一旦金剛石體積分數(shù)超過一定范圍，復合材料的燒結性就會急劇降低，而且燒結時間越短，所獲得的復合材料界面結合越差。 技術實現(xiàn)要素： 6.本發(fā)明的發(fā)明目的是為了提供了一種工藝步驟簡單，工藝條件可控，操作簡單的高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板制備方法，得到的高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板界面結合優(yōu)良，均勻致密，熱學性能好。 7.為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案：一種高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板制備方法，包括以下步驟：(1)將表面鍍有金屬層的金剛石與銅粉混合后球磨，得混合粉末