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氧化鋁沉積設備及供氣方法與流程

505   編輯:中冶有色網   來源:晶澳太陽能有限公司  
2023-09-21 14:54:57
本發(fā)明涉及光伏電池生產設備技術領域,尤其涉及一種氧化鋁沉積設備及供氣方法。 背景技術: 氧化鋁鍍膜技術廣泛應用于晶硅太陽能電池、薄膜太陽能電池等新能源領域,現有的氧化鋁鍍膜技術主要有ald(原子層沉積)法、cvd(化學氣相沉積)法和溶膠凝膠等濕化學方法等,其中,cvd法應用廣泛,cvd法是指把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室,在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜的過程。 在等離子體沉積氧化鋁膜的工藝中,需要用氬氣攜帶三甲基鋁(tma)進入到反應倉中與n2o進行反應。傳統氧化鋁沉積設備的氣路設計如圖1所示,液體三甲基鋁通過第一氣動閥6進入液體蒸發(fā)器控制系統3中,氬氣通過第二氣動閥7進入液體蒸發(fā)器控制系統3中,從而攜帶三甲基鋁進入反應倉5中進行反應,但在實際操作過程中,往往會存在因氬氣的純度不足而發(fā)生堵塞液體蒸發(fā)器控制系統3的現象,考慮到攜帶三甲基鋁所需的氬氣量比較小,因此,目前大多做法是通過降低氬氣的流量,來減小液體蒸發(fā)器控制系統3的堵塞概率。 但是在反應倉中,氧化鋁的生成涉及以下反應方程式: 2al(ch3)3+5ar+20n2o→al2o3+2co2+4co+9h2o+20n2+5ar 由上述反應方程式可以看出,雖然氬氣為用于攜帶三甲基鋁的氣體,不參與反應,但是,當有氬氣的存在時會消耗更多的n2o,從而促進三甲基鋁的完全反應。如果單純依靠降低氬氣流量來降低堵塞概率,則在后續(xù)氧化鋁的反應過程中會因氬氣含量不足而無法使三甲基鋁充分反應,影響鍍膜品質及生產產能。 技術實現要素: 本發(fā)明的目的之一在于克服現有技術中所述的缺陷,從而提供一種氧化鋁沉積設備,該氧化鋁沉積設備不僅可以有效降低的堵塞概率,而且還能提升鍍膜片的品質和生產產能,同時提升自動化上下料設備的開機速率。 本發(fā)明的基礎方案為: 一種氧化鋁沉積設備,包括三甲基鋁儲液倉、氬氣源、以及依次連通的液體蒸發(fā)器控制系統、混氣管和反應倉; 所述三甲基鋁儲液倉具有送液管,所述送液管與所述液體蒸發(fā)器控制系統連通;所述氬氣源具有并聯設置的第一送氣管和第二送氣管;所述第一送氣管與所述液體蒸發(fā)器控制系統連通;所述第二送氣管與所述混氣管連通,以向所述混氣管中補入氬氣,形成通入所述反應倉中的工藝氣體。 本發(fā)明中所說的液體蒸發(fā)控制系統是一個可以被應用于大氣或者真空工業(yè)加工過程中的
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