本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，具體涉及一種光伏電池基板及其制備方法。 背景技術(shù)： 太陽(yáng)能電池板需要自有一定的機(jī)械強(qiáng)度，抗震耐機(jī)械沖擊耐熱沖擊，直接形成硅片的基板材料是關(guān)鍵，基板材料必須滿足化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，抗震等一系列物理及物性的苛刻要求。 傳統(tǒng)工藝中的光伏組件采用的背板材質(zhì)為tpt、tpe和pet/聚烯烴，將硅片通過封裝膠膜(eva)固定到背板上，傳統(tǒng)工藝存在以下問題：硅片不可能低于150um，否則制作硅片過程中破碎率將大幅度上升，電池成品率將大幅降低。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 本發(fā)明的目的在于提供一種光伏電池基板，可直接在該基板上形成極薄的硅片。 本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的所采用的技術(shù)方案如下： 一種光伏電池基板，包括： 主體層，所述主體層為硅基材料； 三氧化二鋁層，所述三氧化二鋁層覆于主體層的表面； 以及若干貫穿所述主體層和三氧化二鋁層的孔。 優(yōu)選地，所述硅基材料選自氮化硅、碳化硅和二氧化硅中的至少一種； 優(yōu)選地，所述硅基材料為碳化硅和二氧化硅的質(zhì)量比為50:1～1:50的組合物。 優(yōu)選地，所述光伏電池基板的厚度為0.1～15mm。 優(yōu)選地，所述三氧化二鋁層的厚度為1～10微米。 優(yōu)選地，所述孔的方向與光伏電池基板的法線基本平行。 優(yōu)選地，所述三氧化二鋁層的(100)晶向與基板的法線基本平行。 優(yōu)選地，所述三氧化二鋁層摻有硅。 更優(yōu)選地，所述三氧化二鋁層中硅的摻入量為0.5～5wt％。 上述光伏電池基板的制備方法，包括； (1)將硅基材料混合預(yù)成型，然后涂覆三氧化二鋁； (2)壓鑄，燒結(jié)； (3)激光開孔，得到所述的光伏電池基板。 優(yōu)選地，步驟(2)中，壓鑄的溫度為800～1400℃，壓力為500～12000kg/cm2。 優(yōu)選地，步驟(2)中，燒結(jié)的溫度為1400～2000℃，時(shí)間為5～240min。 上述的光伏電池基板的制備方法，包括； (1)將硅基材料混合預(yù)成型，然后涂覆三氧化二鋁； (2)采用帶孔鑄模壓鑄成型； (3)燒結(jié)，得到所述的光伏電池基板。 優(yōu)選地，壓鑄成型的溫度為800～1400℃，壓力為500～12000kg/cm2。 優(yōu)選地，燒結(jié)的溫度為1400～2000℃，時(shí)間為5～240min。 本發(fā)明的基板可短時(shí)間內(nèi)耐1500℃的高溫，在-50～100℃的溫度范圍與硅材料有近似的熱脹冷縮系數(shù)，液態(tài)硅在其表面具