(一)技術領域本發(fā)明涉及半導體材料加工技術領域，具體為一種砷化鎵led芯片研磨后拋光的方法及工裝。(二)背景技術：隨著技術工藝的不斷發(fā)展，led芯片不斷向高密度、高性能、小型化和輕薄化發(fā)展。其中，器件的薄片化已成為功率器件和光伏器件的重點發(fā)展方向之一。一方面，薄片可以降低器件的導通電阻和壓降，從而大幅度減少器件的導通損耗，提升器件在散熱方面的性能，防止led芯片有源區(qū)過高的溫升對其光輸出特性和壽命產生影響；另一方面，為滿足led芯片工藝制程中劃片、裂片等后繼工藝的要求，同樣需要將芯片襯底厚度減薄至一定程度；再一方面，薄片利于減少器件封裝的空間，實現(xiàn)整個封裝模塊的小型化和輕薄化。因此，在led芯片制備工藝中，芯片襯底厚度減薄是非常重要的工藝制程。現(xiàn)有技術中主要采用研磨機對芯片襯底進行機械研磨，即在芯片襯底研磨減薄時，將芯片正面貼附在陶瓷盤(一種芯片減薄用貼片工件)上，芯片襯底通過設備機械臂與研磨盤相接觸相互擠壓的摩擦力進行研磨減薄作業(yè)。研磨后的砷化鎵襯底總會存在一定的損傷層，如果損傷層太深會直接影響后續(xù)切割的質量?，F(xiàn)在比較通用的做法是研磨后的芯片再進行一道化學腐蝕的拋光作業(yè)，通過化學試劑來吃掉芯片表層的損傷層，達到改善芯片研磨后背面損傷層去除的目的。該方法是芯片研磨后經過去蠟清洗得到表面潔凈的芯片，再在芯片表面上涂甩上一層光刻膠(腐蝕拋光襯底時起保護芯片正面的作用)放入化學試劑中進行腐蝕拋光，拋光完后把芯片取出，這種方法步驟較多，流程繁瑣，容錯率低；化學試劑反應比較劇烈且放出大量的熱，芯片正面涂抹的光刻膠經常出現(xiàn)被破壞不能很好的保護芯片正面的結果，造成芯片正面損傷甚至報廢的異常結果；腐蝕拋光襯底時現(xiàn)作業(yè)中并沒有很好的工藝解決方法。(三)技術實現(xiàn)要素：為克服現(xiàn)有技術中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種砷化鎵led芯片研磨后拋光的方法及工裝，能夠有效地提高研磨后拋光的效率，避免芯片正面的損傷，且提高腐蝕拋光的效率、質量和安全性。本發(fā)明是通過如下技術方案實現(xiàn)的：一種砷化鎵led芯片研磨后拋光的工裝，包括上板和下板，所述上板和下板通過固定栓連接；所述上板一側設有手柄。優(yōu)選的，所述下板的內側面上設有用于固定陶瓷盤的固定槽，所述固定槽與陶瓷盤的周向接觸面截面形狀為一優(yōu)弧。優(yōu)選的，所述上板和下板上均設有若干的板孔。一種砷化鎵led芯片研磨后拋光的方法，包括以下步驟：a、貼片：將陶瓷盤