一種ito廢靶重制ito粉、高密度靶材及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明屬于ito靶材生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito廢靶重制ito粉、高密度靶材及其制備方法。背景技術(shù)：2.ito靶材是一種銦錫復(fù)合氧化物陶瓷材料，基于該靶材制備的半導(dǎo)體薄膜具有高電子遷移率、高透光率和低生長(zhǎng)溫度的優(yōu)異特性，因此被廣泛使用，年用量已超過(guò)1000噸；但由于技術(shù)限制，目前ito旋轉(zhuǎn)靶和平面靶利用率分別為75％和35％，大量的殘靶和廢靶無(wú)法正常使用；由于銦是一種寶貴的稀缺資源，必須做好銦的循環(huán)利用工作。3.目前，針對(duì)廢靶的回收方法主要有三種。第一種是通過(guò)濕法回收，將銦錫分離，得到粗銦后再重新制備ito靶材，由于工序流程多，設(shè)備容易腐蝕，會(huì)產(chǎn)生廢水，導(dǎo)致回收成本高；第二種是在超高溫度條件下，將ito廢靶直接氣化，冷凝后得到細(xì)顆粒的ito粉末，cn102367519a利用等離子設(shè)備產(chǎn)生高溫電弧，在3000～6000℃的高溫作用下，得到平均粒徑《100nm的ito粉末；cn113387682a將靶材置于4000～5000℃的高溫條件下氣化，得到純度4n，比表面6-8cm2/g的ito粉；這種方法由于耗能大，設(shè)備昂貴以及生產(chǎn)時(shí)間長(zhǎng)等原因，不利于大規(guī)模生產(chǎn)。第三種是通過(guò)擠壓、球磨、氣流破碎等物理破碎方式，將ito靶材直接粉碎后重新制備ito靶材，專利cn112079627a公開(kāi)了一種由ito廢靶經(jīng)過(guò)三級(jí)粉碎制粉并生產(chǎn)ito靶材的制備方法，得到粒徑小于200目的廢靶材粉末，經(jīng)過(guò)成型燒結(jié)后，得到的靶材相對(duì)密度大于99.7％。專利cn113149611a公開(kāi)了一種ito廢靶坯回收制備的ito粉末、靶材及其制備方法，將粉碎后的廢靶坯熱處理后，再進(jìn)行球磨制漿，球磨30～60h后，得到顆粒粒徑d50＝50～200nm的ito漿料，燒結(jié)得到的靶材相對(duì)密度可達(dá)99.79％。cn111632730a通過(guò)18～24h的振動(dòng)球磨，將粒徑小于10um的ito粉末處理成100～500nm的ito粉末；這種方法雖然簡(jiǎn)單，但得到的ito粉末顆粒大小不均勻，破碎時(shí)間長(zhǎng)，即使通過(guò)氣流破碎，仍然無(wú)法直接用于高密度靶材的制備，且氣流破碎產(chǎn)能低，不利于大規(guī)模廢靶處理。因此，有必要提供一種新的方案，解決ito靶材直接破碎時(shí)間過(guò)長(zhǎng)和相對(duì)密度有待進(jìn)一步提高的問(wèn)題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：4.針對(duì)以上現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)和不足之處，本發(fā)明的首要目的在于提供一種it