： 1.本發(fā)明涉及六方形氮化硼(hexagonal boron nitride,h ? bn)/石墨烯異質(zhì)結(jié)三維多孔碳材料及其制備方法和電催化用途。 背景技術(shù)： 2.h ? bn與石墨烯具有高度結(jié)構(gòu)相似性及差異巨大的電化學(xué)性質(zhì)。例如，h ? bn具有寬帶隙結(jié)構(gòu)，不具有導(dǎo)電性；而石墨烯具有零帶隙結(jié)構(gòu)，具有高導(dǎo)電性。h ? bn與石墨烯的相似性及差異性，使h ? bn成為很好的摻雜劑，用以改性石墨烯的電化學(xué)性質(zhì)，使石墨烯表現(xiàn)出新的電化學(xué)性能，特別是電催化性能。傳統(tǒng)的h ? bn/石墨烯平面異質(zhì)結(jié)是典型的二維結(jié)構(gòu)，其制備方法主要通過復(fù)雜的化學(xué)氣象沉積法(chemical vapor deposition,cvd)完成，材料的產(chǎn)量及且異質(zhì)結(jié)含量均較低，這限制了異質(zhì)結(jié)在電催化等領(lǐng)域的研究及應(yīng)用。所以，有必要探究新的方法實現(xiàn)豐富異質(zhì)結(jié)的構(gòu)建并探究異質(zhì)結(jié)對石墨烯的改性及應(yīng)用。 3.目前對于二維h ? bn/石墨烯平面異質(zhì)結(jié)構(gòu)建的專利已有報到，例如發(fā)明人公開的專利(專利申請?zhí)枺?017111130962)中，公開了一種h ? bn/石墨烯平面異質(zhì)結(jié)的制備方法，首先在銅箔表面以預(yù)制圖案的掩膜沉積納米級厚度的鎳層；其次將獲得的銅箔基底置于管式爐中，通過化學(xué)氣相沉積方法不間斷、依次地沉積石墨烯與h ? bn；最后控制冷卻速度，使管式爐降溫至室溫。該發(fā)明在化學(xué)氣相沉積法生長的基礎(chǔ)上，利用石墨烯在銅與銅鎳合金表面生長機理的不同，在特定生長條件下，石墨烯僅在銅表面生長，h ? bn在未覆蓋石墨烯的合金表面生長，從而只利用一次化學(xué)氣相沉積步驟制備出帶有預(yù)制圖案的h ? bn/石墨烯平面異質(zhì)結(jié)。該類方法的制備過程往往需要預(yù)制圖案等復(fù)雜步驟，其異質(zhì)結(jié)的含量及產(chǎn)量均較低，所以該法制備的異質(zhì)結(jié)往往只能用在構(gòu)建微電子器件，探究異質(zhì)結(jié)基本物理性能。 4.目前，對于h ? bn/石墨烯平面異質(zhì)結(jié)的文獻已有很多，主要是二維異質(zhì)結(jié)通過cvd法進行構(gòu)建。另外，也有文獻報道通過 ? nh2修飾石墨烯量子點為摻雜前驅(qū)，通過與h ? bn的生長前驅(qū)進行混合，后通過高溫處理使h ? bn在石墨烯量子點邊緣進行生長，從而構(gòu)建h ? bn/石墨烯平面異質(zhì)結(jié)。該方法由于沒有金屬催化劑的存在，異質(zhì)結(jié)的含量及質(zhì)量較低。 5.目前，也有文獻報道h ? bn