本發(fā)明涉及單晶硅片技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種單晶硅片精密磨削用砂輪及其制備方法。 背景技術(shù)： 如今ic大都采用單晶硅作為襯底材料，主要應(yīng)用于集成電路、晶體管、外延片的襯底等。隨著ic生產(chǎn)與制造技術(shù)的快速發(fā)展，硅片大直徑化和超薄化的發(fā)展已經(jīng)成了未來主要的發(fā)展方向，因此對硅片加工效率和表面質(zhì)量提出了更高的要求。300mm硅片的制備工藝流程分別是拉晶，外圓加工，切片。倒角，表面磨削、雙面拋光、表面處理、單面拋光、激光刻碼、清洗等組成。表面磨削作為硅片制備工藝的關(guān)鍵的一步，如果加工質(zhì)量能夠得到提升，可以為后續(xù)的拋光節(jié)約了時間，降低了加工成本、提高了生產(chǎn)效率。 在大直徑、超薄硅片表面磨削過程中，容易在硅片磨削表面產(chǎn)生磨削應(yīng)力從而引起硅片的翹曲、變形，同時砂輪的堵塞也會造成硅片表面的熱損傷，傳統(tǒng)方法通過引起造孔劑來起到造孔作用，但是造孔劑的加入容易引起磨料和結(jié)合劑塊的成片脫落進而影響硅片表面質(zhì)量，降低耐用度。 技術(shù)實現(xiàn)要素： 本發(fā)明的目的在于提供一種單晶硅片精密磨削用砂輪及其制備方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。 為實現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明提供一種單晶硅片精密磨削用砂輪，包括以下原料組成：燒結(jié)體50-80％、陶瓷結(jié)合劑粉體b14-16％、有機粘結(jié)材料10-20％、填料(a)3-8％和潤濕劑8-15％。 作為本技術(shù)方案的進一步改進，所述燒結(jié)體包括以下原材料組成：磨料40-65％、陶瓷結(jié)合劑粉體b25-35％、填料(b)0-15％。 作為本技術(shù)方案的進一步改進，所述磨料選自金剛石、含硼金剛石、泡沫化金剛石和立方氮化硼中的至少一種，所述有機粘結(jié)材料選自酚醛樹脂粉、環(huán)氧樹脂粉、聚酰亞胺樹脂粉中的至少一種，其中樹脂粉須全部通過325目篩網(wǎng)，所述填料選自碳化硅、立方碳化硅、白剛玉、陶瓷剛玉、氧化鈰、氧化鑭、氧化釔、碳纖維、鈦酸鉀晶須中的至少一種，所述潤滑劑選自糊精液，石蠟、聚乙烯醇、水玻璃中的至少一種。 作為本技術(shù)方案的進一步改進，所述陶瓷結(jié)合劑粉體a和所述陶瓷結(jié)合劑粉體b的粒度均為2-30μm。 另一方面，本發(fā)明提供了一種單晶硅片精密磨削用砂輪的制備方法，包括上述中任意一項所述的單晶硅片精密磨削用砂輪，其操作步驟如下： s1、燒結(jié)體混料工序：將陶瓷結(jié)合劑粉體a、磨料、有機粘結(jié)材料、填料，通過混料機混合均勻得到復(fù)合粉體； s2、燒結(jié)體固化工序：通過熱壓成型