陣列式PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一種高效、大面積的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，通過等離子體激活反應(yīng)氣體，在低溫下實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜的快速沉積。

三個(gè)真空室共用二套真空機(jī)組。沉積室的樣品臺(tái)可加熱、可升降。

本套系統(tǒng)的三個(gè)沉積室采用圓柱形(φ430*456)立式安裝全封閉結(jié)構(gòu)，門上帶觀察窗;整套機(jī)組所用主要器件有插板閥五個(gè)(連接幾個(gè)沉積室的插板閥為CF150的二個(gè)，其余三個(gè)CF150插板閥連接分子泵)。分子泵三臺(tái)(600L/S)、機(jī)械泵三臺(tái)(4L/S)，可升降、帶加熱樣品臺(tái)三套、樣品傳遞機(jī)構(gòu)一套，其中二個(gè)CF150插板閥是三個(gè)真空室之間傳遞樣品用的。

電控方面主要器件有;電控柜兩臺(tái)、PLC程控機(jī)一臺(tái)、樣品臺(tái)加熱電源三臺(tái)、真空計(jì)四臺(tái)、流量顯示儀2臺(tái)及其它各種電器配件等等。

系統(tǒng)構(gòu)成包括沉積室(P、N、I室)、氣路控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、安全保護(hù)報(bào)警系統(tǒng)等部分。

抽真空時(shí)間：沉積室;40分鐘達(dá)5x10-4 Pa，

設(shè)備總體漏率;停機(jī)12小時(shí)后≤ 5Pa。