權(quán)利要求書(shū): 1.一種掩膜版,其特征在于,所述掩膜版包括層疊的基膜及膠層;所述基膜包括高分子膜;所述高分子膜的材料為高分子聚合物;
所述掩膜版上具有多條狹縫;每條所述狹縫貫穿所述基膜和膠層;每條所述狹縫包括連續(xù)的第一段、第二段和第三段,所述第二段位于所述第一段和第三段之間,每條所述狹縫的第二段的長(zhǎng)度占所述狹縫總長(zhǎng)度的75%~85%;每條所述狹縫的第二段的寬度誤差小于或等于10%;
所述寬度誤差,是指所述狹縫上任意位置處的寬度與該位置所在段的寬度平均值之間的差值,占該段的寬度平均值的百分比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,每條所述狹縫的第二段的寬度誤差小于或等于8%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,每條所述狹縫整條的寬度誤差小于或等于10%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述狹縫包括相交的第一狹縫和第二狹縫;所述第一狹縫的寬度大于所述第二狹縫的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版,其特征在于,每條所述狹縫整條的寬度處處相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述第一狹縫任意位置處的寬度為30μm~400μm,所述第二狹縫任意位置處的寬度為2μm~60μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版,其特征在于,沿著同一軌跡的相鄰第二狹縫之間具有分隔部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版,其特征在于,所述分隔部的長(zhǎng)度大于或等于200μm;優(yōu)選地,所述分隔部的長(zhǎng)度為400μm~2000μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的掩膜版,其特征在于,沿著所述狹縫延伸方向,所述掩膜版上、所述狹縫的兩側(cè)均具有熱應(yīng)力區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜版,其特征在于,
當(dāng)所述狹縫為第一狹縫時(shí),在所述第一狹縫任意位置處,所述第一狹縫和所述第一狹縫兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域的寬度之和,與所述第一狹縫的寬度之比為(1.03~3.25):1;
當(dāng)所述狹縫為第二狹縫時(shí),在所述第二狹縫任意位置處,所述第二狹縫與所述第二狹縫兩側(cè)的熱應(yīng)力區(qū)域的寬度之和,與所述第二狹縫的寬度之比為(1.2~5.5):1。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜版,其特征在于,所述熱應(yīng)力區(qū)域的寬度為6μm~75μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜版,其特征在于,所述熱應(yīng)力區(qū)域靠近狹縫的位置具有凸起,所述
聲明:
“掩膜版及太陽(yáng)能電池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)