權(quán)利要求 1.一種電沉積法制備納米晶鎳箔的方法，其特征在于，以鎳板為陽(yáng)極，以鈦板為陰極，將所述陽(yáng)極和所述陰極均置于電解液中，采用脈沖電源在所述鈦板上電沉積制備納米晶鎳箔; 所述電解液包含水及以下濃度的各組分： 硫酸鎳300～500g/L; 氯化鎳5～15g/L; 潤(rùn)濕劑0.01～0.2g/L; 緩沖劑20～60g/L; 光亮劑0.05～2g/L; 所述電解液的pH為2～4，所述電沉積的溫度為40～60℃; 所述緩沖劑選自檸檬酸、檸檬酸鈉中的一種或兩種; 所述光亮劑選自丙氧化丁炔二醇、乙氧化丁炔二醇、磺基丙炔醚鈉鹽、乙氧化丙炔醇、甘油單丙炔醚中的一種或者多種; 所述潤(rùn)濕劑選自2-乙基己基硫酸鈉、聚氧乙烯烷基酚醚硫酸鈉鹽、磺基丁二酸酯鈉鹽、磺基丁二酸二戊酯鈉鹽、磺基丁二酸二乙酯鈉鹽、中的一種或者多種。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電沉積法制備納米晶鎳箔的方法，其特征在于，所述潤(rùn)濕劑選自聚氧乙烯烷基酚醚硫酸鈉、2-乙基己基硫酸鈉中的一種或兩種; 優(yōu)選地，所述潤(rùn)濕劑地濃度為0.03～0.1g/L。 3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電沉積法制備納米晶鎳箔的方法，其特征在于，所述光亮劑選自丙氧化丁炔二醇、乙氧化丁炔二醇中的一種或兩種; 優(yōu)選地，所述光亮劑的濃度為0.5～1g/L。 4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電沉積法制備納米晶鎳箔的方法，其特征在于，陰極電流密度為1～4A/dm2，脈沖周期為30ms～60ms，占空比為(1～3)：1。 5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電沉積法制備納米晶鎳箔的方法，其特征在于，通過(guò)以下方調(diào)節(jié)所述電解液的pH：先將各組分按照配方混合后，然后再加入Na2CO3粉末和/或酸性水溶液調(diào)節(jié)混合后的體系的pH。 6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電沉積法制備納米晶鎳箔的方法，其特征在于，所述酸性水溶液中酸性物質(zhì)為H2SO4和HCl，H2SO4和HCl的物質(zhì)的量的比為(6～8)：1。 7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電沉積法制備納米晶鎳箔的方法，其特征在于，所述陽(yáng)極和所述陰極的兩極間距為5～20mm; 優(yōu)