權(quán)利要求 1.半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括： 在襯底上外延生長(zhǎng)外延材料層； 在所述外延材料層的至少部分區(qū)域形成導(dǎo)電區(qū)； 在所述外延材料層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)制備柵極、源極和漏極； 在所述襯底遠(yuǎn)離所述外延材料層的一側(cè)刻蝕形成通孔，所述外延材料層為刻蝕停止層； 在所述襯底遠(yuǎn)離所述外延材料層的一側(cè)形成背金層，所述背金層延伸至所述通孔內(nèi)，并通過(guò)所述導(dǎo)電區(qū)內(nèi)的外延材料層與所述源極電學(xué)連接。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在所述外延材料層的至少部分區(qū)域形成導(dǎo)電區(qū)的步驟，包括： 在所述外延材料層的至少部分區(qū)域進(jìn)行離子注入，以形成第一注入?yún)^(qū)； 將所述第一注入?yún)^(qū)激活，以形成所述導(dǎo)電區(qū)。 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在襯底上外延生長(zhǎng)外延材料層的步驟，包括： 在所述襯底上依次沉積成核層、第一外延層、第二外延層和帽層； 在所述外延材料層的至少部分區(qū)域進(jìn)行離子注入的步驟，包括： 在至少部分區(qū)域內(nèi)的所述成核層和所述第一外延層進(jìn)行離子注入。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電區(qū)位于所述通孔上方，且所述導(dǎo)電區(qū)的形狀與所述通孔的截面形狀相適配。 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在所述外延材料層的至少部分區(qū)域形成導(dǎo)電區(qū)的步驟之后，所述制備方法還包括： 在所述導(dǎo)電區(qū)周圍形成絕緣區(qū)。 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電區(qū)周圍形成絕緣區(qū)的步驟包括： 在所述導(dǎo)電區(qū)周圍進(jìn)行離子注入，以形成所述絕緣區(qū)。 7.半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括： 襯底； 設(shè)置在所述襯底一側(cè)的外延材料層； 設(shè)置在所述外延材料層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的源極、漏極和柵極； 以及，設(shè)置在所述襯底遠(yuǎn)離所述外延材料層一側(cè)的背金層； 其中，所述外延材料層的至少部分區(qū)域形成有導(dǎo)電區(qū)，所述襯底遠(yuǎn)離所述外延材料層的一側(cè)形成有通孔，所述背金層延伸至所述通孔內(nèi)，并通過(guò)所述導(dǎo)電區(qū)內(nèi)的外延材料層與所述源極電學(xué)連接。 8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述導(dǎo)電區(qū)位于所述通孔上方，且所述導(dǎo)電區(qū)的形狀與所述通孔的截面形狀相適配。 9.根據(jù)權(quán)