本發(fā)明屬于材料的制備領(lǐng)域，具體涉及一種au@pt核殼結(jié)構(gòu)納米電極、制備方法及其應(yīng)用。 背景技術(shù)： 隨著科學(xué)技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展更新，納米電極的發(fā)展越來(lái)越快，利用新的儀器和操作方法，我們可以制備和表征更小尺寸的電極。納米電極一般是指尺寸小于100nm的電極，由于納米電極的臨界尺寸(如：納米盤電極的半徑，納米孔電極的半徑及深度，納米線電極的長(zhǎng)度納米帶電極的寬度等)與分子的尺寸接近，因而納米電極在分子研究領(lǐng)域發(fā)展迅速。盡管對(duì)納米電極的制作和電化學(xué)研究很多，但大多處于初級(jí)階段，還需對(duì)其做深入研究。 納米電極具有很多傳統(tǒng)電極所不具備的優(yōu)點(diǎn)，比如背景電流小，傳質(zhì)速率高，ir降低，靈敏度高等，而且電極可作為探針，應(yīng)用于電化學(xué)成像分析，活體細(xì)胞檢測(cè)，單細(xì)胞分析等。 由于對(duì)納米電極的尺寸有嚴(yán)格的要求，因此納米電極的制備過(guò)程極具挑戰(zhàn)，在過(guò)去的幾十年里，有很多研究小組用不同的方法制備出了不同形貌的納米電極。martin組利用模板法制備鉑納米陣列電極，在聚碳酸酯模板上用電鍍法或電化學(xué)沉積的方法修飾鉑，制得鉑納米陣列電極，電極尺寸可達(dá)100nm。張學(xué)記組用等離子轟擊的方法制備出了納米尺寸的金電極，該方法是將金絲置于等離子轟擊儀中，制得所需尺寸的金絲，然后將金絲穿入毛細(xì)管中，封裝后制得納米金電極，電極尺寸可達(dá)30nm左右。penner組利用刻蝕-涂層法制得鉑銥合金納米電極，先用電化學(xué)方法或火焰灼燒的方法將金屬絲刻蝕成很細(xì)的尖端然后在尖端涂上一層聚合物，通過(guò)升溫的方法使聚合物收縮，尖端露出來(lái)，制得鉑銥合金納米電極，電極尺寸可達(dá)10nm。最新關(guān)于納米電極的制備是激光拉制的方法，sun組通過(guò)激光拉制的方法拉制出了鉑納米電極，zhang組通過(guò)將拉制的鉑電極電化學(xué)刻蝕成孔后在孔內(nèi)沉積金的方法制得金納米電極。 在氯化鈣溶液中對(duì)納米盤電極進(jìn)行刻蝕，可以得到納米孔電極，在氫氟酸溶液中對(duì)電極進(jìn)行刻蝕，得到納米線電極。 由于納米電極的尺寸在納米范疇，因此一般用于表征納米粒子的方法都可以用來(lái)表征納米電極。例如掃描電子顯微鏡(scanningelectronmicroscopy,sem)和透射電子顯微鏡(transmissionelectronmicroscopy,tem)，同時(shí)納米電極可用于掃描隧道顯微鏡(scanningtunnelingmicroscope,stm)和原子力顯微鏡(atomicforce