本發(fā)明涉及的是一種硫化亞錫誘導(dǎo)生長(zhǎng)金納米顆粒的自組裝方法，屬于納米材料制備領(lǐng)域。 背景技術(shù)： 硫化亞錫是性能優(yōu)良的p型半導(dǎo)體，在很多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，可用作晶體管、傳感器、太陽能電池、開關(guān)、電池電極等。不同于諸如石墨烯等零隙半導(dǎo)體的是，硫化亞錫有帶隙，且為間接帶隙，并且其帶隙和原子層數(shù)有重要的聯(lián)系，層數(shù)越薄帶隙越大。也不同于過度金屬二維材料如二硫化鉬，硫化亞錫從塊體到單層都是間接帶隙。但目前硫化亞錫和金納米顆粒的復(fù)合物制備方法還鮮有報(bào)道。 金納米顆粒的合成一般采用溶液化學(xué)還原的方法，如用乙二醇或是硼氫化鈉等作為還原劑，但是該方法不能使得金納米顆粒在襯底材料上有序組裝。因此開發(fā)一種簡(jiǎn)單有效的方法原位生長(zhǎng)金納米顆粒/硫化亞錫復(fù)合物就顯得尤為必要。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 本發(fā)明的目的是提供硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用，工藝簡(jiǎn)單，獲得的金納米顆粒的粒徑范圍是幾納米到幾十納米，結(jié)晶性好。 為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案： 硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物，金納米顆粒顆粒在硫化亞錫表面具有取向性排列，金納米顆粒尺寸在15-25納米。 硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物的制備方法，步驟如下： （1）機(jī)械剝離硫化亞錫材料，產(chǎn)物厚度50-100nm,大小幾微米到十幾微米，氬氣氣氛中退火后備用。 （2）滴加氯金酸水溶液到機(jī)械剝離的硫化亞錫表面，沉積2-5min,氮?dú)獯底叨嘤嗟囊后w，置于烘箱中加熱反應(yīng)。 氯金酸水溶液的濃度為10%-26%，滴加量為1-3μl；反應(yīng)溫度為120-150℃、反應(yīng)時(shí)間2-5min。 （3）反應(yīng)結(jié)束后，快速取出樣品，得到金納米顆粒在硫化亞錫自取向組裝。得到金納米顆粒在硫化亞錫自取向組裝，金納米顆粒大約幾十納米，結(jié)晶性好，該復(fù)合物在光電探測(cè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。 本發(fā)明的原理說明如下：au3+/au0的還原電勢(shì)大約為5.5ev(相對(duì)于真空而言)，而硫化亞錫的導(dǎo)帶小于5.5ev，因此電子會(huì)從硫化亞錫轉(zhuǎn)移到au3+上，使得au3+原位還原成au0。 本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：（1）得到的產(chǎn)物金納米顆粒粒徑為幾納米到幾十納米，結(jié)晶性好，穩(wěn)定性高；（2）工藝簡(jiǎn)單，而且成本低廉，時(shí)間較短，環(huán)境友好；（3）該方法制備的硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物性能優(yōu)越，在光電探測(cè)器件、生物傳感等領(lǐng)域具有廣泛重要的應(yīng)用前景。 附圖說明 圖1為實(shí)施例1機(jī)械剝離的硫化