1.本技術(shù)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別地涉及一種半導(dǎo)體器件塑封料選取方法、裝置、終端設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。 背景技術(shù)： 2.功率半導(dǎo)體器件是電子裝置中電路控制與電能轉(zhuǎn)換的核心，主要用于改變電子裝置中電壓、頻率和電流轉(zhuǎn)換，如分立器件絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor，igbt)、快速恢復(fù)二極管(fast recovery diode,frd)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)等，廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱為代表的家電及軌道交通、新能源等領(lǐng)域。由于功率半導(dǎo)體器件的使用特性及應(yīng)用環(huán)境，決定了功率半導(dǎo)體器件的可靠性必須得到保證和提高，才能確保整個(gè)電力轉(zhuǎn)換裝置的可靠運(yùn)行。其中，漏電流大小是評(píng)判功率半導(dǎo)體器件可靠性的重要指標(biāo)，反向偏壓越大，溫度越高，其漏電流也越大。漏電流持續(xù)增大，器件損耗增大，器件穩(wěn)定性就被降低。因此，需要使器件的漏電流控制在一定范圍內(nèi)并使其穩(wěn)定。高溫反偏試驗(yàn)(high temperature reverse bias，htrb)是監(jiān)測(cè)漏電流的主要實(shí)驗(yàn)方法，具體為半導(dǎo)體器件的結(jié)溫條件下，施加最大反偏電壓的80％，在電和熱應(yīng)力的作用下，監(jiān)控器件漏電情況。而器件的漏電流，不僅與芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和晶圓的具體生產(chǎn)工藝強(qiáng)相關(guān)，而且封裝所使用的塑封料對(duì)漏電流同樣影響較大。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 3.針對(duì)上述問題，本技術(shù)提供一種半導(dǎo)體器件塑封料選取方法、裝置、終端設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件封裝所使用的塑封料對(duì)漏電流影響較大的技術(shù)問題。 4.第一方面，本技術(shù)提供了一種半導(dǎo)體器件塑封料選取方法，所述方法包括： 5.獲取待封裝半導(dǎo)體器件的額定工作信息及其鈍化層的材料信息； 6.根據(jù)所述待封裝半導(dǎo)體器件的額定工作信息，確定所述待封裝半導(dǎo)體器件的封裝形式； 7.根據(jù)所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式，選取與所述鈍化層的材料信息和所述封裝形式均匹配的目標(biāo)塑封料；其中，所述目標(biāo)塑封料能夠使得通過所述目標(biāo)塑封料封裝之后的所述待封裝半導(dǎo)體器件在高溫反偏試驗(yàn)中的漏電流小于第一預(yù)設(shè)閾值且該待封裝半導(dǎo)體器件在高溫反偏試驗(yàn)中于預(yù)設(shè)時(shí)間范圍內(nèi)的漏電流變化值小于第二預(yù)設(shè)閾值。 8.根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例，優(yōu)選的，上述半導(dǎo)體器件塑封