鋁電解槽排煙支管的自控蝶閥 761     

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本技術(shù)在于提供一種鋁電解槽排煙支管的自控蝶閥，一方面可實(shí)現(xiàn)排煙管網(wǎng)排煙的自動(dòng)平衡，提高電解槽集氣效率，另一方面減少現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試的難度，還可以降低閥門的投資和維護(hù)成本，且采購成本與原閥門差距不大。一種鋁電解槽排煙支管的自控蝶閥除具備簡(jiǎn)單可靠的外形還開發(fā)出一套用于精確計(jì)算閥板的計(jì)算軟件。

鋁電解短路母線拆裝機(jī)構(gòu) 893     

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本發(fā)明公開了一種鋁電解短路母線拆裝機(jī)構(gòu)，包括長(zhǎng)方框結(jié)構(gòu)的升降小車(1)，該升降小車(1)上設(shè)有一個(gè)升降架(15)，該升降架(15)頂部支撐起一個(gè)長(zhǎng)方框結(jié)構(gòu)的支撐平臺(tái)(14)，在該支撐平臺(tái)(14)中部并排固定有兩根鉸軸(8)，在每根鉸軸(8)上各鉸接連接一根方管(9)，該方管(9)能夠繞該鉸軸(8)轉(zhuǎn)動(dòng)；每根方管(9)的頂端設(shè)有伸縮桿(3)，伸縮桿(3)上連接夾具(2)；在支撐平臺(tái)(14)上還設(shè)有一個(gè)移動(dòng)平臺(tái)(6)，移動(dòng)平臺(tái)(6)底部設(shè)有導(dǎo)向裝置(4)。本發(fā)明的系列短路母線拆裝機(jī)構(gòu)，能夠快速高效、安全可靠的進(jìn)行短路母線的安裝與拆除，且操作十分方便，值得推廣。

片式鉭電解電容器測(cè)試夾具 997     

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本發(fā)明涉及鉭電解電容器技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種片式鉭電解電容器測(cè)試夾具，包括上模板、中模板、下模板、負(fù)極壓針、絕緣底座、正極壓針、電路板、液壓油缸、壓針定位板和正極壓針面板，中模板的下表面開設(shè)有多個(gè)緩沖槽，負(fù)極壓針與緩沖槽的槽壁滑動(dòng)連接，負(fù)極壓針的上端固定連接有伸縮桿，伸縮桿的上端固定連接有第一活塞，第一活塞與負(fù)極壓針之間固定連接有同一根壓縮彈簧，壓縮彈簧活動(dòng)套設(shè)于伸縮桿的桿壁，緩沖槽的槽壁對(duì)稱開設(shè)有兩個(gè)滑動(dòng)槽，滑動(dòng)槽內(nèi)滑動(dòng)連接有第二活塞。該片式鉭電解電容器測(cè)試夾具，能夠?qū)ω?fù)極壓針進(jìn)行多級(jí)緩沖，避免負(fù)極壓針對(duì)電路板造成損傷，有效的降低了導(dǎo)柱與導(dǎo)向套的磨損，提高了夾具的使用壽命。

鋁電解廢內(nèi)襯及鋁灰處置裝置和方法與流程 1604     

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本發(fā)明屬于鋁電解技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種鋁電解廢內(nèi)襯及鋁灰處置裝置和方法。背景技術(shù)1.電解槽大修渣與廢內(nèi)襯現(xiàn)在運(yùn)行的電解槽壽命平均為2000~2600天,其后，電解槽需進(jìn)行大修后才能重新開始電解生產(chǎn)。由于在鋁電解生產(chǎn)過程中需加入氟化鹽，噸鋁電解生產(chǎn)約需加入氟化鹽20~35kg，一部分氟化物以氣態(tài)形式進(jìn)入大氣，另一部分殘留于電解槽內(nèi)襯中，含氟物占廢內(nèi)襯的36%左右，其中，每噸大修渣中的可溶性氟達(dá)到16.4~56kg。因此，電解槽大修渣經(jīng)水浸出后氟化物的濃度非常高，且呈高堿性，這種廢渣對(duì)環(huán)境有很大的危害，

兩步堿溶法生產(chǎn)化學(xué)品氧化鋁的方法與流程 1591     

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.本發(fā)明屬于礦產(chǎn)資源高效利用技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種兩步堿溶法生產(chǎn)化學(xué)品氧化鋁的方法。背景技術(shù).目前，生產(chǎn)氧化鋁的工藝方法主要包括拜耳法、燒結(jié)法、聯(lián)合法以及串聯(lián)法等。拜耳法主要是將鋁土礦與氫氧化鈉濕法磨粉，低溫溶出氧化鋁，其缺陷是氧化鋁的收率低(％左右)；燒結(jié)法是將鋁土礦加碳酸鈉、石灰石及煤等進(jìn)行球磨，制漿，經(jīng)回轉(zhuǎn)窯噴漿、燒結(jié)，制得氧化鋁熟料，其氧化鋁的收率可達(dá)到％～％；而聯(lián)合法、串聯(lián)法是將上述兩種方法的結(jié)合或者選擇性的使用，其氧化鋁的收率可達(dá)到％～％。上述各種方法，只追

鋁電解殘極電解質(zhì)清理系統(tǒng)的制作方法 695     

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.本實(shí)用新型涉及一種鋁電解殘極電解質(zhì)清理系統(tǒng)，屬于鋁電解技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù).鋁電解組裝車間殘極清理流程中需要先對(duì)殘極上附帶的電解質(zhì)進(jìn)行清理，再將殘極從陽極鋼爪上壓脫掉。清理的電解質(zhì)經(jīng)過一定工藝處理后可以回收再利用，殘極可以直接銷售。.現(xiàn)階段，鋁電解組裝車間殘極電解質(zhì)清理流程主要有大塊電解質(zhì)清理、甩鏈清理和拋丸清理三個(gè)清理站。殘極上大塊的電解質(zhì)在大塊電解質(zhì)清理站被振松后脫落，附著在表面的電解質(zhì)在甩鏈清理站進(jìn)行清理，還有滲透在殘極底面和上表面顆?？紫吨械碾娊赓|(zhì)必須經(jīng)過拋丸清理站才能清理干凈。實(shí)

氫氧化鎳及其制備方法與流程 1762     

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.本申請(qǐng)涉及濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氫氧化鎳及其制備方法。背景技術(shù).隨著硫化鎳礦資源日趨枯竭，高效開發(fā)占全球鎳資源％的紅土鎳礦日益迫切。紅土鎳礦的濕法冶煉普遍采用硫酸浸出，將ni、co、mn、al、mg等金屬提取至溶液中，再經(jīng)過一系列除雜工藝得到初步凈化的硫酸鎳溶液；目前針對(duì)硫酸鎳溶液中鎳回收普遍采用氫氧化鈉進(jìn)行沉淀，但氫氧化鈉堿度過高，在實(shí)際生產(chǎn)中容易造成沉淀槽中過堿現(xiàn)象，大部分雜質(zhì)一并沉淀帶入產(chǎn)品中，降低氫氧化鎳中鎳的主含量，同時(shí)存在沉淀物粒徑小、過濾困難的缺點(diǎn)。.現(xiàn)有技術(shù)中

圓形封裝形式的固體繼電器 1099     

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本實(shí)用新型公開了一種圓形封裝形式的固體繼電器，包括繼電器部分和罩殼，所述繼電器部分包括底座，底座上設(shè)置有厚輸出功率組件厚膜基板，輸出功率組件厚膜基板通過焊接柱與輸入功率組件PCB板連接，罩殼與繼電器部分的底座連接，輸出功率組件厚膜基板上設(shè)置的光伏二極管陣列中心距為3.5～5.5mm，輸入功率組件PCB板反面上設(shè)置的發(fā)光二極管中心距為3.5～5.5mm，輸出功率組件厚膜基板上設(shè)置的導(dǎo)體區(qū)域?qū)挾葹?.45～0.65mm。該圓形封裝形式的固體繼電器，具有體積小，接收光效率高、裝配合格率高、裝配效率高、負(fù)載電流大和功耗小的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了大電壓輸入，大電壓、大電流輸出的目標(biāo)。

新型TiC鋼結(jié)硬質(zhì)合金及其制備方法 970     

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本發(fā)明公開了一種新型TiC鋼結(jié)硬質(zhì)合金，其中，新型TiC鋼結(jié)硬質(zhì)合金，其包括如下成分：TiC、Cr₃C₂、Mo₂C、Fe、C。本發(fā)明提供了一種新型TiC鋼結(jié)硬質(zhì)合金，制得的合金在結(jié)構(gòu)上較為緊密，具備良好的硬度。

低功耗超快恢復(fù)整流二極管的制造方法 828     

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本發(fā)明提供的一種低功耗超快恢復(fù)整流二極管的制造方法，采用高電導(dǎo)P型單晶硅片和N型單晶硅片經(jīng)過硼擴(kuò)散后高溫鍵合，再將形成PN結(jié)的硅片進(jìn)行減薄，可間接減薄二極管芯片厚度，有效地降低二極管器件的正向壓降，達(dá)到器件低功耗高頻率的目的。

高可靠合金型玻璃鈍化二極管及其制作工藝 1094     

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本發(fā)明提供的一種高可靠合金型玻璃鈍化二極管及其制作工藝，包括管芯，管芯的兩面均通過蒸鋁層和鉬電極與銅引線連接，所述管芯、蒸鋁層、鉬電極、保護(hù)環(huán)封裝在玻璃外殼內(nèi)，所述管芯的邊緣制作有保護(hù)環(huán)。本發(fā)明在管芯邊緣形成高壓擴(kuò)散PN結(jié)環(huán)內(nèi)部嵌套低壓合金結(jié)的結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品加上反偏電壓時(shí)，首先在中間合金PN結(jié)處發(fā)生擊穿，這樣的結(jié)構(gòu)可以避免合金PN結(jié)邊緣的電場(chǎng)集中，降低了邊緣電場(chǎng)強(qiáng)度，可以有效降低產(chǎn)品在常溫及高溫時(shí)的反向漏電流，提升產(chǎn)品的合格率及可靠性。

高壓快恢復(fù)整流二極管的制作方法 931     

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本發(fā)明涉及二極管制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種高壓快恢復(fù)整流二極管的制作方法，通過選擇合理阻值的N型單晶硅片，設(shè)計(jì)、測(cè)試管芯的厚度與結(jié)深，以及采用硼酸與硝酸鋁合理配比的硼擴(kuò)散源，制備得到高壓快恢復(fù)整流二極管。此方法制備的高壓快恢復(fù)整流二極管，可以很好的兼容反向工作電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、正向壓降這三個(gè)電性參數(shù)，滿足反向工作電壓1500V以上、反向恢復(fù)時(shí)間100ns以下、正向壓降3V以下的工作要求。

提高片式固體電解質(zhì)電容器耐應(yīng)力的方法 1292     

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本發(fā)明屬電子元器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及提高片式固體電解質(zhì)電容器耐應(yīng)力的方法，包括陽極設(shè)計(jì)和陰極被膜強(qiáng)化處理；所述陽極設(shè)計(jì)是將陽極鉭塊高度方向棱邊進(jìn)行倒角處理，直角棱邊變成圓弧狀；所述陰極被膜強(qiáng)化處理是將形成介質(zhì)層的陽極鉭塊通過多次浸漬分解硝酸錳溶液和強(qiáng)化處理形成二氧化錳層。本發(fā)明提供的方法，能在鉭陽極表面能形成厚度均勻、致密度高的二氧化錳層，消除鉭陽極加工過程中出現(xiàn)的應(yīng)力集中和局域薄弱現(xiàn)象。本發(fā)明所制的鉭陽極能提高片式固體電解質(zhì)鉭電容器耐熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力等應(yīng)力沖擊能力，提高其焊接性能；可用于制造出耐應(yīng)力能力強(qiáng)、可靠性高的片式固體電解質(zhì)鉭電容產(chǎn)品，擴(kuò)大了電容器的應(yīng)用范圍。

高可靠抗輻照玻璃鈍化快恢復(fù)整流二極管制造方法 1048     

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本發(fā)明提供的一種高可靠抗輻照玻璃鈍化快恢復(fù)整流二極管制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結(jié)擴(kuò)散工藝，臺(tái)面造型為正斜角造型，該芯片結(jié)構(gòu)降低表面電場(chǎng)，同時(shí)在進(jìn)行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行保護(hù)，然后采用特殊玻璃粉進(jìn)行高溫鈍化封裝成型；本發(fā)明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產(chǎn)品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時(shí)具有一定的含鉛量使產(chǎn)品能在輻照條件下穩(wěn)定工作。

鉭電容器固體電解質(zhì)及其制備方法、鉭電容器和用電器 912     

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本發(fā)明公開了鉭電容器固體電解質(zhì)及其制備方法、鉭電容器和用電器，涉及電容器的陰極電解質(zhì)制備技術(shù)領(lǐng)域。制備方法，包括：采用漿料包覆法在第一中間體的表面進(jìn)行至少一次漿料包覆，得到第二中間體，漿料包覆法為：在被包覆物表面包覆含有β?MnO₂粉末的硝酸錳漿料，然后干燥；將得到的第二中間體通過熱分解使其中所含的硝酸錳分解為二氧化錳得到第三中間體；第一中間體為表面覆蓋有介質(zhì)氧化層且微孔被二氧化錳填滿的多孔鉭燒結(jié)體；在第三中間體的表面再次包覆二氧化錳，以填滿第二中間體表面β?MnO₂微粒間的間隙。用電器，包括上述的鉭電容器。該方法可減小被覆過程中對(duì)介質(zhì)氧化膜的破壞，使電容器漏電穩(wěn)定性好。

新型固體電解電容器及其制造方法 913     

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一種新型固體電解電容器及其制造方法,涉及一種電器元件、經(jīng)六個(gè)工藝步驟制造出一種具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和很高的體積效率,其阻抗頻率特性好,ESR值可在10KHZ-1000KHZ范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,能夠很好地滿足現(xiàn)代電子設(shè)備高頻化的要求的固體電解電容器,其中關(guān)鍵步驟4為陰極電解質(zhì)層的制造方法,所述的陰極電解質(zhì)層具有導(dǎo)電性高分子復(fù)合層,該導(dǎo)電性高分子復(fù)合層是由無機(jī)二氧化錳電解質(zhì)層4B或化學(xué)聚合的導(dǎo)電性高分子層4B與電解聚合的導(dǎo)電性高分子聚合物4C層復(fù)合而成,并且采用底面電極引出的形式對(duì)電容器元件進(jìn)行封裝。

降低氧化鈮電容器等效串聯(lián)電阻的陰極制備工藝 1261     

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本發(fā)明公開了一種降低氧化鈮電容器等效串聯(lián)電阻的陰極制備工藝，該工藝步驟主要包括陽極芯塊和介質(zhì)膜的加工、陰極半導(dǎo)體的加工、陰極過渡層的加工及陰極引出層的加工；該工藝將形成介電層的陽極芯塊浸漬、脫水、熱分解低濃度和高濃度硝酸錳溶液，通過在陰極半導(dǎo)體層與陰極引出層間增加一層過渡層，消除了層間接觸電阻，使電容器的等效串聯(lián)電阻減小20％以上；該工藝由于在熱分解硝酸錳溶液之前采用了脫水工藝，提高了二氧化錳對(duì)陽極芯塊內(nèi)部的填充率，而且取消了低濃度與高濃度硝酸錳的交替浸漬、熱分解，使工藝操作更簡(jiǎn)單、效率更高，適合于工業(yè)化大批量生產(chǎn)。

鈮電容器介質(zhì)膜強(qiáng)化方法 1000     

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本發(fā)明一種鈮電容器介質(zhì)膜強(qiáng)化方法，屬電子元件制作技術(shù)領(lǐng)域，是將現(xiàn)有工藝電化學(xué)制造后有介質(zhì)膜的陽極塊進(jìn)行強(qiáng)化處理，其處理方法是將陽極塊在250℃～400℃的烘箱中干烘10～30min，再在0.1%～1%v/v、60℃～90℃的硝酸水溶液的電解槽中，以與陽極塊連接的電極為正極對(duì)陽極塊實(shí)施電化學(xué)氧化。由于對(duì)第一次制備的介質(zhì)氧化膜采取了“干烘+形成”的工藝處理后，明顯降低了陽極塊的漏電流值，介質(zhì)膜的晶粒更小，膜層更致密。

骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法 923     

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本發(fā)明涉及醫(yī)療機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域，且公開了骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法，第一步：取鎂合金Mg?Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg?Ca粉末與NaHCO3混合攪拌，得到第一混合物。該骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法，本發(fā)明的骨缺損植入器械梯度多孔材料由首先采用鎂合金Mg?Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg?Ca粉末與NaHCO3混合制備的預(yù)制體，再對(duì)預(yù)制體進(jìn)行多次處于，分別進(jìn)行防腐蝕阻擋處理和構(gòu)建氧化鈦梯度層處理，最終制備獲得耐腐蝕、使用壽命長(zhǎng)、可有助于人體骨組織生產(chǎn)以及恢復(fù)的骨缺損植入器械梯度多孔材料，本發(fā)明的骨缺損植入器械梯度多孔材料制造方法不僅工藝簡(jiǎn)單、易操作，而且還綠色環(huán)保，不會(huì)對(duì)環(huán)境產(chǎn)生污染和危害，可滿足企業(yè)的生產(chǎn)要求，適合推廣。

鈮電容器陰極制備方法 1177     

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本發(fā)明一種鈮電容器陰極制備方法，涉及一種電解電容器陰極電解質(zhì)的制備方法。本發(fā)明是將氧化鈮粉壓制成氧化鈮電容器陽極芯塊，按傳統(tǒng)工藝經(jīng)燒結(jié)，陽極形成，形成介電層后，將形成介電層的鈮陽極芯塊經(jīng)浸漬低濃度硝酸錳溶液、高濃度硝酸錳溶液、乙酸水溶液中形成處理等7個(gè)步驟完成在含介電層的陽極塊表面制備二氧化錳陰極層。由于本發(fā)明采用浸漬低濃度硝酸錳溶液與高濃度高硝酸錳溶液交替浸漬和熱分解方式，使分解得到的二氧化錳顆粒能夠滲透到陽極塊的微孔中，并與陽極塊緊密接觸，從而實(shí)現(xiàn)電容量的完全引出，降低了二氧化錳陰極層的接觸電阻，達(dá)到降低產(chǎn)品等效串聯(lián)電阻ESR的目的。

高可靠抗輻照玻璃鈍化電壓調(diào)整二極管制造方法 1023     

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本發(fā)明提供的一種高可靠抗輻照玻璃鈍化電壓調(diào)整二極管制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結(jié)擴(kuò)散工藝，臺(tái)面造型為正斜角造型，該芯片結(jié)構(gòu)降低表面電場(chǎng)，同時(shí)在進(jìn)行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行保護(hù)，然后采用特殊玻璃粉進(jìn)行高溫鈍化封裝成型；本發(fā)明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產(chǎn)品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時(shí)具有一定的含鉛量使產(chǎn)品能在輻照條件下穩(wěn)定工作。

降低鈮電容器高溫電容量變化率的工藝方法 983     

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本發(fā)明一種降低鈮電容器高溫電容量變化率的工藝方法，涉及電解電容器輔助陰極層制備技術(shù)，是將氧化鈮電容器陽極芯塊按傳統(tǒng)工藝完成陰極電解質(zhì)二氧化錳層加工后得到的陰極電解質(zhì)的陽極塊經(jīng)碳層制備和制備導(dǎo)電引出層后再按現(xiàn)工藝完成電容器的后面工序。由于本發(fā)明碳層的制備采用浸漬兩次石墨水液，并在兩次浸漬之間浸漬一次表面活化劑，完成碳層制備的陰極電解質(zhì)陽極塊又經(jīng)導(dǎo)電漿料的處理，使碳層與陰極電解質(zhì)層、導(dǎo)電引出層間的結(jié)合更緊密，有效的抑制了鈮電容器在溫度升高時(shí)的電容量增加。

改善燒結(jié)鉭塊內(nèi)部孔隙度的方法 1170     

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本發(fā)明提供了一種改善燒結(jié)鉭塊內(nèi)部孔隙度的方法，包括以下步驟：稱量鉭粉?混粉?自動(dòng)成型?脫樟?燒結(jié)?測(cè)試孔隙度。本發(fā)明了有益效果在于：通過對(duì)比不同粘合劑對(duì)燒結(jié)后鉭塊孔隙度的影響，根據(jù)不同粘合劑脫除后留下的孔隙大小、形貌、比例的區(qū)別，選出最合適的粘合劑及最佳添加比例來改善鉭塊的孔隙度，有助于更為深入的了解陽極鉭塊內(nèi)孔隙的基本結(jié)構(gòu)，此外，鉭塊內(nèi)部合適的孔隙度可以提高后續(xù)陰極二氧化錳的被覆率，從而使電容量得到更大程度引出，其操作簡(jiǎn)單，效率高，無需復(fù)雜設(shè)備，投入成本低，對(duì)完善被膜工藝及容量引出改善效果明顯。

具有高電導(dǎo)率的固體電解質(zhì)電容器的制備方法 1220     

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本發(fā)明公開了具有高電導(dǎo)率的固體電解質(zhì)電容器的制備方法，包含燒結(jié)、形成介質(zhì)氧化膜、制作表面為導(dǎo)電高分子π-共軛聚合物層的陽極塊、涂敷石墨層和銀漿層、通過模壓封裝的步驟形成最終產(chǎn)品。本發(fā)明的有益效果是：通過具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)聚陰離子基團(tuán)的偶聯(lián)劑在乙醇溶液中通過有機(jī)磺酸的作用，在100～150℃下一方面導(dǎo)電聚合物單體發(fā)生聚合反應(yīng)形成透明及具有很高彈性的聚合物膜層，另一方面聚陰離子基團(tuán)有機(jī)磺酸的作用下形成交聯(lián)的骨架，從而生成具很高柔性的高分子導(dǎo)電復(fù)合物，在很大程度上緩解電解電容器制作過程中因模壓樹封時(shí)環(huán)氧樹脂熱收縮產(chǎn)生的熱應(yīng)力，大大降低了電容器的ESR，提高了電容器性能的穩(wěn)定性。

高可靠抗輻照瞬變電壓抑制二極管的制造方法 1138     

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本發(fā)明提供的一種高可靠抗輻照瞬變電壓抑制二極管的制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結(jié)擴(kuò)散工藝，臺(tái)面造型為正斜角造型，該芯片結(jié)構(gòu)降低表面電場(chǎng)，同時(shí)在進(jìn)行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行保護(hù)，然后采用特殊玻璃粉進(jìn)行高溫鈍化封裝成型；本發(fā)明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產(chǎn)品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時(shí)具有一定的含鉛量使產(chǎn)品能在輻照條件下穩(wěn)定工作。

采用鎢電極制造高可靠瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法 1233     

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本發(fā)明提供的一種采用鎢電極制造高可靠瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法，包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝，采用了鎢電極作為電極引線制造玻璃鈍化瞬態(tài)電壓抑制二極管，大大提升了器件的瞬態(tài)峰值功率，相同封裝外形尺寸可以提升80％以上的瞬態(tài)峰值功率。

鉭電解電容器陽極鉭塊燒結(jié)成型方法 1107     

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一種鉭電解電容器陽極鉭塊燒結(jié)成型方法，涉及電解電容器領(lǐng)域。所述成型方法是將納米級(jí)粒徑的鉭粉置于設(shè)定形狀和大小的容器內(nèi)，采取分段等靜壓成型工藝，按壓力從小到大、再從大到小的順序分為若干段，在設(shè)定的條件下通過液體對(duì)置于容器內(nèi)的預(yù)成型體施加各向均勻的壓力，進(jìn)行陽極鉭塊等靜壓成型，再進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)成型。解決了現(xiàn)有鉭電解電容器陽極鉭塊燒結(jié)成型后容易變形、絕緣可靠性差、坯體密度不均勻的問題，以獲得具有一定形狀、密度、內(nèi)部均勻的鉭粉成型素坯。燒結(jié)后的壓坯收縮形變量小，尺寸精度和表面光潔度均優(yōu)于傳統(tǒng)液壓機(jī)干壓成型工藝，為后續(xù)的裝配工藝和規(guī)?；可a(chǎn)帶來便捷，并有利于提升電容器的電參數(shù)、質(zhì)量一致性和可靠性。

高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法 1268     

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本發(fā)明提供的一種高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法，包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝，芯片分離采用正吹砂切割方式形成正斜角，大大降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過程中采用酸腐蝕去除芯片臺(tái)面損傷層、腐蝕工藝去除粘附在芯片表面的重金屬離子、熱鈍化方式中和堿金屬離子并在芯片表面生長(zhǎng)一層二氧化硅鈍化保護(hù)層的工藝，最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的反向性能，提升產(chǎn)品的可靠性；采用主要成分為氧化鋅、三氧化二硼、二氧化硅的鈍化玻璃粉經(jīng)過高溫成型實(shí)現(xiàn)玻璃粉對(duì)芯片臺(tái)面的鈍化兼封裝作用，產(chǎn)品組件中的電極與芯片和玻璃鈍化層的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)，提高了產(chǎn)品的抗溫度沖擊能力；產(chǎn)品采用專用焊料將電極片和軸向產(chǎn)品進(jìn)行燒結(jié)，實(shí)現(xiàn)了表貼封裝結(jié)構(gòu)。

微型玻璃鈍化封裝整流二極管 857     

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本發(fā)明公開了一種微型玻璃鈍化封裝整流二極管，包括管芯、電極、引線和玻璃封裝外殼。所述管芯為單晶硅制成的PN結(jié)，其P面和N面分別依次與電極和引線連接。所述管芯與電極通過金屬薄膜層熔焊鍵合在一起，所述電極和引線通過銅焊片熔融焊接在一起。將玻璃鈍化封裝的整流二極管的外部直徑做到1個(gè)毫米以下，實(shí)現(xiàn)了整流二極管的微型化；同時(shí)，玻璃鈍化封裝與塑料封裝相比，二極管的高溫反向漏電流更小、工作溫度范圍更寬、可靠性更高。

超低等效串聯(lián)電阻的固體電解電容器及其制造方法 986     

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本發(fā)明涉及一種以固體導(dǎo)電高分子聚合物為電解質(zhì),以鉭、鈮、鈦、鋁等閥金屬為陽極的固體電解電容器及其制備方法,本發(fā)明對(duì)陽極設(shè)計(jì)、賦能、化學(xué)氧化原位聚合、浸涂石墨銀漿以及制作底面引出電極等工藝進(jìn)行了充分的闡釋,采用本發(fā)明的技術(shù)方案,能夠使高分子聚合物層、石墨層、銀漿層之間緊密結(jié)合,制造的電解電容器具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和很高的體積效率,其阻抗頻率特性好,ESR值可在10KHZ～1000KHZ范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,能夠很好地滿足現(xiàn)代電子設(shè)備頻化的要求。