馬弗爐 344     

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質(zhì)量上乘，性能優(yōu)異，每年都獲得數(shù)千萬(wàn)新老客戶的一致好評(píng)。功能卓越與設(shè)計(jì)美觀，加上超值性價(jià)比，使我們高溫電爐是客戶的最終選擇，溫度和尺寸均可定制。電爐免費(fèi)保修一年，終身維護(hù)，24小時(shí)售后服務(wù)。

有色金屬生產(chǎn)線 323     

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該設(shè)備主要用于鋁錠、銅錠等有色金屬的自動(dòng)鑄造，每小時(shí)可達(dá)到10噸。主要結(jié)構(gòu)包括：U型鋼槽鋼焊接鋼體、輸送機(jī)、調(diào)速電機(jī)、減速機(jī)、大小鏈輪鏈條、配電系統(tǒng)。

梯形鋁錠在線提溫加熱爐 322     

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該套設(shè)備用于梯形鋁錠在線提溫用，設(shè)備額定功率在300kw—500kw，額定頻率200—300HZ，在線提溫60-250℃，對(duì)于截面2350-3000平方毫米鋁錠每小時(shí)產(chǎn)量5.5T以上，由于設(shè)備自動(dòng)調(diào)整輸出功率，設(shè)備噸耗電量控制在50kW.h/t以內(nèi);設(shè)備底部設(shè)計(jì)有直線導(dǎo)軌，可橫向移動(dòng)1.5米，以方便在不需要鋁錠加熱時(shí)將設(shè)備移開。

感應(yīng)熔銅爐 319     

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產(chǎn)品特點(diǎn)：1、溫度可控，升溫速度快;2、可選擇使用石墨坩堝或做爐襯;3、容量范圍0.1T-10T;4.可根據(jù)客戶要求增加熔煉控制系統(tǒng)，精確控制熔煉過(guò)程。

感應(yīng)熔鋁爐 326     

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應(yīng)用：熔煉鋁合金的熔鋁爐;原材料包括鋁錠、廢鋁鑄件、廢鋁門窗、廢電線、廢罐等。可配備自動(dòng)化鋁錠生產(chǎn)線進(jìn)行自動(dòng)化鑄造。配置：熔體、控制柜、(減速機(jī)、控制箱)

PECVD帶尾氣處理裝置 184     

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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種利用輝光放電(等離子體)反應(yīng)生成含有氣態(tài)物質(zhì)的薄膜的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)。該系統(tǒng)由高功率射頻電源、真空系統(tǒng)、管式爐組成，配備噴淋塔、活性炭箱，滿足尾氣處理的需要。該設(shè)備是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性

CVD管式爐 350     

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該CVD管式爐適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、材料的氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。主要用于大學(xué)，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行氣相沉積相關(guān)的實(shí)驗(yàn)與生產(chǎn)。

1100度CVD管式爐 188     

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這款CVD管式爐廣泛用于樣品在真空和氣氛條件下的燒結(jié)、涂層、納米管研究、釬焊、退火等實(shí)驗(yàn)，適用于高校、研究機(jī)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室和工礦企業(yè)進(jìn)行CVD工藝的科研和實(shí)驗(yàn)。

自動(dòng)壓力控制CVD管式爐 181     

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主要用于稀土制備、電子照明、晶體退火、生物陶瓷、電子陶瓷、特種合金、磁性材料、精密鑄造、金屬熱處理等工業(yè)真空燒結(jié)、保護(hù)氣氛燒結(jié)、CVD實(shí)驗(yàn)、真空沉積、材料成分測(cè)定場(chǎng)合。

三溫區(qū)CVD管式爐 159     

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該設(shè)備適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。主要用于大學(xué)，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行氣相沉積相關(guān)的實(shí)驗(yàn)與生產(chǎn)。

LCD觸摸屏CVD高溫爐 180     

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這款CVD爐可用于碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 241     

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適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

PECVD旋轉(zhuǎn)管式爐 463     

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適用于粉體材料的表面薄膜沉積，在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

管式PECVD等離子氣相沉積系統(tǒng) 180     

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PECVD等離子氣相沉積設(shè)備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統(tǒng)主要用于金屬粉末鍍膜。

兩通道CVD系統(tǒng) 189     

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本CVD系統(tǒng)帶水冷法蘭雙路流量計(jì)并配有雙極旋片泵、水冷機(jī)、數(shù)字真空計(jì)且該CVD系統(tǒng)可抽真空、通氣氛，該設(shè)備適用于各種CVD實(shí)驗(yàn)。

CVD 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 355     

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CVD 管式爐系統(tǒng)由：管式爐加熱區(qū)系統(tǒng)，質(zhì)子流量計(jì)供氣系統(tǒng)，真空系統(tǒng)和氣體定量系統(tǒng)組成。適用于 CVD 工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基 片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO 納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容 (MLCC) 氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

六通道PECVD設(shè)備 182     

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該pecvd設(shè)備是由管式爐真空泵和六通道質(zhì)量流量計(jì)氣體流動(dòng)系統(tǒng)組成的。它可以混合1-6種氣體用于PECVD或擴(kuò)散。

高溫CVD系統(tǒng) 177     

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主要用于真空或氣氛燒結(jié)、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實(shí)驗(yàn)環(huán)境。適用于大學(xué)，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行氣相沉積相關(guān)的實(shí)驗(yàn)與生產(chǎn)。

三溫區(qū)CVD系統(tǒng) 172     

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此款多溫區(qū)CVD系統(tǒng)是由多通道高精度的質(zhì)量流量計(jì)、低真空機(jī)組以及1200度高溫管式爐組成。該CVD化學(xué)沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領(lǐng)域。

卷對(duì)卷PECVD設(shè)備 245     

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整套體系可在真空/氣氛保護(hù)環(huán)境下工作。 收放卷機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)速?gòu)?~400mm/min可調(diào),機(jī)構(gòu)采用反饋調(diào)節(jié)，可自動(dòng)糾正轉(zhuǎn)速偏差，保證樣品的速度穩(wěn)定不走樣。

PECVD系統(tǒng) 277     

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適用于室溫至1200℃條件下進(jìn)行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機(jī)材料上高效保護(hù)層膜和特定溫度下無(wú)損傷鈍化膜的沉積。

1200℃PECVD系統(tǒng) 373     

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該P(yáng)ECVD管式爐度范圍寬；濺射區(qū)域長(zhǎng)；整管可調(diào)；精致小巧，性價(jià)比高，可實(shí)現(xiàn)快速升降溫，是實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等的理想選擇，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。

3通道CVD設(shè)備 374     

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此款CVD生長(zhǎng)系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

雙爐體CVD設(shè)備 374     

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該雙爐體CVD系統(tǒng)為定制款，適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

三溫區(qū)CVD設(shè)備 373     

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此款三溫區(qū)CVD生長(zhǎng)系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

高溫化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)/cvd鍍膜 247     

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主要用于TaC、HfC等物料及其復(fù)合碳化物等超高熔點(diǎn)涂層化學(xué)氣相沉積制備工藝研究。

滑道式PECVD系統(tǒng) 195     

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滑道式PECVD系統(tǒng)由PT-1200T管式爐加熱系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、質(zhì)量流量計(jì)供氣系統(tǒng)、等離子射頻電源系統(tǒng)組成。廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）等。

高真空PECVD設(shè)備 272     

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廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。

立式PECVD設(shè)備 239     

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廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長(zhǎng)，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無(wú)定型硅(a-Si:H) 等。

1200℃石墨烯生長(zhǎng)爐 148     

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KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生長(zhǎng)爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長(zhǎng)薄膜而設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長(zhǎng)。